Półprzewodniki Dane techniczne

2SC3587 DANE TECHNICZNE,OBWÓD,FUNKCJA

2SC3587 Datasheet PDF

ProducentPakowanieOpisPDFTemperatura
EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION 2SC3587 PDF
Min.°C | Maks.°C


© 2026 - Półprzewodniki Dane techniczne Mapa serwisu
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam