Półprzewodniki Dane techniczne

2SC5181-T1 DANE TECHNICZNE,OBWÓD,FUNKCJA

2SC5181-T1 Datasheet PDF

ProducentPakowanieOpisPDFTemperatura
EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION 2SC5181-T1 PDF
Min.°C | Maks.°C

  • 2SC5181
    EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
  • 2SC5181(NE68619)
    Discrete
  • 2SC5181-T1
    EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
  • 2SC5181T1
    TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-416

© 2026 - Półprzewodniki Dane techniczne Mapa serwisu
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam