Półprzewodniki Dane techniczne

GT15J311SM DANE TECHNICZNE,OBWÓD,FUNKCJA

GT15J311SM Datasheet PDF

ProducentPakowanieOpisPDFTemperatura
Toshiba SemiconductorSilicon N-Channel IGBT for High Power Switching Application(??????????????N????????????????? Min.°C | Maks.°C


© 2025 - Półprzewodniki Dane techniczne Mapa serwisu
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam