Półprzewodniki Dane techniczne

PDTD123TT DANE TECHNICZNE,OBWÓD,FUNKCJA

PDTD123TT Datasheet PDF

ProducentPakowanieOpisPDFTemperatura
NXP SemiconductorsNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = open Min.°C | Maks.°C


© 2025 - Półprzewodniki Dane techniczne Mapa serwisu
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam