Półprzewodniki Dane techniczne

WG12012R DANE TECHNICZNE,OBWÓD,FUNKCJA

WG12012R Datasheet PDF

ProducentPakowanieOpisPDFTemperatura
THYRISTOR|GTO|1.2KV V(DRM)|TO-200VAR74 Min.°C | Maks.°C


© 2024 - Półprzewodniki Dane techniczne Mapa serwisu
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam